·편집 : 2020.4.8 수 07:53
로그인 회원가입
|기사모아보기
과학벨트, 구제역
> 뉴스 > 뉴스종합 > 경제
     
삼성전자, D램에 EUV 첫 적용… 고객사에 모듈 100만개 공급
2020년 03월 25일 (수) 13:08:52 박남근 기자 nku88@naver.com
라인 밴드 트위터 페이스북 네이버 구글 msn
삼성전자 DS부문 V1라인
 

{삼성전자 DS부문 V1라인}

삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다.

삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노: 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급하여 글로벌 고객의 평가를 완료했다.

이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 ‘EUV 공정’을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 ‘4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술’을 개발하고 있으며 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다.

삼성전자는 2021년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며 “2021년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는 데 기여할 것”이라고 말했다.

한편 삼성전자는 2021년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체 간 다양한 표준화 활동을 추진해 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정이다.

또한 삼성전자는 2020년 하반기 평택 신규 라인을 가동함으로써 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획이다.

박남근 기자의 다른기사 보기  
ⓒ 헤럴드타임즈(http://www.heraldtimes.co.kr) 무단전재 및 재배포금지 | 저작권문의  

     
전체기사의견(0)  
 
      자동등록방지용 코드를 입력하세요!   
   * 200자까지 쓰실 수 있습니다. (현재 0 byte/최대 400byte)
   * 욕설등 인신공격성 글은 삭제 합니다. [운영원칙]
전체기사의견(0)
회사소개기사제보광고문의불편신고개인정보취급방침청소년보호정책이메일무단수집거부  

서울본사: 서울특별시 서초구 방배동 474-22 춘강빌딩 2층|총괄본사: 서울특별시 강동구 풍성로54길 40-7
독자제보 및 구독·광고문의 Tel 070-4193-7177 | Fax 02)986-4005|등록일 : 2010념3월10일 | 등록번호 : 서울특별시 아01164
발행인 : 박남근|편집인 : 박남근|청소년보호책임자 : 박남근
Copyright 2006 헤럴드타임즈. All rights reserved. mail to webmaster@heraldtimes.co.kr